Entwurf, Herstellung und Charakterisierung von integrierten Hochfrequenz-Leistungsverstärkern für die Raumfahrt mit Galliumnitrid-Technologie im K-, Ka und Q/V-Band – LEVERAGE 2 | Institut: | E-3 | | Projektleitung: | Arne F. Jacob | | Mitarbeiter/innen: | Philip Feuerschütz
Christian Friesicke
Stanislav Samis
| | Laufzeit: | 01.01.2015 — 30.06.2018 | | Finanzierung: | Bundesministerium für Wirtschaft und Energie (BMWi)
Deutsches Zentrum für Luft- und Raumfahrt (DLR)
| | Kooperationen: | Airbus DS GmbH in Ottobrunn
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik (IAF) in Freiburg im Breisgau
Fraunhofer-Institut für Mikrostruktur von Werkstoffen und Systemen (IMWS) in Halle an der Saale
KHH Consulting Karl-Heinz Hübner in Überlingen
Tesat-Spacecom GmbH & Co. KG in Backnang
UMS GmbH - United Monolithic Semiconductors in Ulm
| | Verbundprojekte: | Bundesministerien |
FKZ: 50 YB 1504 PSP-Element: T-ZW-E03-BMB-15 Es werden Klassen von integrierten Leistungsverstärkern mit hohem Wirkungsgrad für die Satellitenkommunikation im K-, Ka-, Q- und V-Band untersucht. Die Anwendungen reichen von aktiven Feed-Arrays über Telemetrie-Transponder bis hin zum Einsatz in Treiberstufen von Wanderfeldröhren. Je nachdem kommt es neben dem Wirkungsgrad, der Ausgangsleistung und der Bandbreite auch auf die Linearitit an. Hierfür sind geeignete Schaltungskonzepte zu erarbeiten und in Zusammenarbeit mit den Partnern zu erproben. Partner dieses Verbundvorhabens sind das Fraunhofer Institut für Angewandte Festkörperphysik (Freiburg i. Brsg.), die Tesat-Spacecom GmbH & Co. KG (Backnang), die Airbus D&S GmbH (Ottobrunn) und die UMS GmbH (Ulm). Publikationen- Friesicke, Christian and Feuerschütz, Philip and Quay, Rüdiger and Ambacher, Oliver and Jacob, Arne F.: A 40 dBm AlGaN/GaN HEMT Power Amplifier MMIC for SatCom Applications at K-Band. In IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest (IMS), S. 1--4, San Francisco, CA, USA, May 2016., DOI: 10.1109/MWSYM.2016.7540203
- Stanislav Samis, Christian Friesicke, Philip Feuerschütz, Roger Lozar, Thomas Maier, Peter Brückner, Rüdiger Quay, and Arne F. Jacob: A 5 W AlGaN/GaN Power Amplifier MMIC for 25-27 GHz Downlink Applications. In Proc. 11th German Microwave Conference (GeMiC), S. 9-12, Freiburg, Germany, Mar. 2018., DOI: 10.23919/GEMIC.2018.8335015
- Feuerschütz, Philip; Friesicke, Christian; Quay, Rüdiger; Jacob, Arne F.: A Q-Band Power Amplifier MMIC Using 100 nm AlGaN/GaN HEMT. In Proc. 11th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC), S. 305--308, London, UK, Oct. 2016.
- Feuerschütz, Philip; Rave, Christian; Samis, Stanislav; Friesicke, Christian; Quay, Rüdiger; Konrath, Willibald; Hirche, Klaus; Schobert, Dennis; Schneider, Michael; Jacob, Arne F.: Active Multi-Feed Satcom Systems with GaN SSPA at K-Band. In Proc. 10th German Microwave Conference (GeMiC), S. 31--34, Bochum, Germany, Mar. 2016., DOI: 10.1109/GEMIC.2016.7461548
- Christian Friesicke, Erdin Ture, Dirk Schwantuschke Philip Feuerschütz, Stanislav Samis, Arne F. Jacob, Rüdiger Quay, and Oliver Ambacher: GaN Semiconductor MMICs for Space Applications: Session: WF-05 The Internet of Space, a New Satellite Communication Technique. In Proc. 47th European Microwave Week Workshop (EuMW), Nuremberg, Germany, Oct. 2017.
- Friesicke, Christian; Quay, Rüdiger; Jacob, Arne F.: The Resistive-Reactive Class-J Power Amplifier Mode. IEEE Microwave and Wireless Components Letters, 25 (10): S. 666-668, Oktober 2015.
- Philip Feuerschütz, Christian Friesicke, Roger Lozar, Sandrine Wagner, Thomas Maier, Peter Brückner, Rüdiger Quay, and Arne F. Jacob: Two Q-Band Power Amplifier MMICs in 100 nm AlGaN/GaN HEMT Technology. In Proc. 11th German Microwave Conference (GeMiC), S. 13-16, Freiburg, Germany, Mar. 2018., DOI: 10.23919/GEMIC.2018.8335016
|
