Leistungsverstärker für die Raumfahrt auf GaN Elektronik – LEVERAGE | Institut: | E-3 | | Projektleitung: | Arne F. Jacob | | Mitarbeiter/innen: | Christian Friesicke
| | Laufzeit: | 01.07.2011 — 30.11.2014 | | Finanzierung: | Bundesministerium für Wirtschaft und Energie (BMWi)
Deutsches Zentrum für Luft- und Raumfahrt (DLR)
| | Kooperationen: | Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik (IAF) in Freiburg im Breisgau
Tesat-Spacecom GmbH & Co. KG in Backnang
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Förderkennzeichen: 50 YB 1128 Es werden Klassen von Leistungsverstärkern mit hohem Wirkungsgrad für Satellitenkommunikation im K-Band untersucht. Dabei sollen die bei solch hohen Frequenzen mit der gegebenen Technologie maximal erzielbaren Wirkungsgrade, Ausgangsleistungen und Bandbreiten ermittelt werden. Dafür sind geeignete Schaltungskonzepte zu erarbeiten. Publikationen- Friesicke, Christian and Quay, Rüdiger and Rohrdantz, Benjamin and Jacob, Arne F.: A Linear 4W Power Amplifier at K-Band Using 250nm AlGaN/GaN HEMTs. In Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC), 2013 European, 2013.
- Friesicke, C. and Kühn, J. and Brückner, P. and Quay, R. and Jacob, A.F.: An Efficient AlGaN/GaN HEMT Power Amplifier MMIC at K-Band. In Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC), 2012 7th European, 2012.
- Friesicke, Christian and Jacob, Arne F. and Quay, Rüdiger: K-Band Power Amplifiers in a 100 nm GaN HEMT Microstrip Line MMIC Technology , 20th International Conference on Microwaves, Radar and Wireless Communications (MIKON) 2014 : S. 295-298, June 2014.
- Friesicke, Christian and Quay, Rüdiger and Jacob, Arne F.: Comparison of Second-Harmonic Matching of AlGaN/GaN HEMTs at K-Band , 44th European Microwave Conference (EuMC) 2014: S. 1344-1347, October 2014.
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