Plasmaätzen & Trockenätzen
- Plasmaätzer LH Z401
- Strukturierbare Materialien: z.B. Silizium, -nitrid, -oxid, W, TiWN, TiWON, Polyimid, Photolack
- Substrate bis 200 mm Durchmesser
- Strukturbreite >1 µm
- Substratkühlung möglich
- STS Advanced Silicon Etching (ASE)
- Deep Reactive Ion Etching (DRIE) von Silizium bis 500 μm Tiefe mit Boschprozess
- Isotropes sowie anisotropes Ätzen von Silizium
- 100 mm Wafer, 150 mm Wafer nach Rekonfiguration
- Oxford Plasma Pro 100 PECVD
- Aus Forlab Mitteln finanziert
- Anlage zum selbstlimitierenden Ätzen einzelner Atomlagen
- 100 mm bis 200 mm Wafer
- Atomic Layer Etching (ALE) folgender Materialien
- Kristallines Silizium - Siliziumwafer
- Amorphes Silizium (a-Si:H)
- Tiefes Reaktives Ionenätzen (DRIE) folgender Materialien
- Kryo Deep Silicon Etch Prozess
- Kristallines Silizium DRIE, alternierender Prozess
- Silizium RIE, kontinuierlicher Ätzprozess (mixed gas process)
- Wafer-Schleuse für Transfer
