Low Pressure Chemical Vapour Deposition (LPCVD)
- TEOS-Ofen LPCVD
- H2-freie SiO2-Schichten aus Tetraethoxysilan (TEOS)
- mit Substrattemperatur < 750°C
- Poly-Si-LPCVD
- Poly-Silizium aus Silan bis 15 µm
- auf Silizium und Pyrex
- Si3N4/SiON/SiO2-LPCVD
- Siliziumnitrid-, Siliziumoxinitrid- und Siliziumoxid-Schichten
- Abscheidung aus Gasen
- 3-Zonen-Ofen
