Willkommen am Institut für Bauelemente in der Leistungselektronik

Das Institut für Bauelemente in der Leistungselektronik (Power Electronic Devices) forscht auf dem Gebiet der aktiven Leistungshalbleiterbauelemente. Zudem entwickeln wir intelligente Bauelemente für die integrierte Fehlervorhersage und neuromorphe Elektronik. Die resultierenden Bauelemente und Technologien basieren auf Halbleitern mit großer Bandlücke sowie Silizium. Sie adressieren Anwendungen in vielen Bereichen wie der Elektromobilität, erneuerbaren Energien, autonomen Industrieumgebungen und Datenzentren.

Wir forschen hauptsächlich in den folgenden drei Bereichen:

1. Zukünftige Technologiegenerationen und neue Bauelementkonzepte - Forschung an neuen Konzepten für die Entwicklung und Herstellung von Leistungshalbleiterbauelementen in GaN-, SiC- und Si-Prozessumgebungen sowie insbesondere die Entwicklung neuartiger Bauelementstrukturen und deren Optimierung mit Hilfe von Techniken des maschinellen Lernens.
2. Stabilität, Zuverlässigkeit und Robustheit - neuartige Methoden und Modelle zur Untersuchung und Modellierung der Zuverlässigkeit von Leistungshalbleiterbauelementen, der statischen und dynamischen Schaltzuverlässigkeit, verbesserter Degradationsmodelle, der Wechselwirkung zwischen Bauelement- und Aufbau- und Verbindungstechnik, Prüfverfahren zur Bewertung der Zuverlässigkeit unter extremen Temperaturen und hochdynamischen Bedingungen, integrierte Zuverlässigkeit.
3. Neue Materialien, Prozesse und Bauelementeigenschaften - Neue Bauelementfunktionalitäten, Integration neuartiger ferroelektrischer Effekte wie z.B. Aluminium-Scandiumnitrid (AlScN), Integration von High-k-Materialien, neuromorphe Leistungselektronik.

Das Institut für Bauelemente in der Leistungselektronik wurde an der TU Hamburg neu gegründet und befindet sich derzeit im Aufbau. Wenn Sie daran interessiert sind, uns näher kennenzulernen, zögern Sie bitte nicht, uns zu kontaktieren.