Das Institut für Bauelemente in der Leistungselektronik forscht auf dem Gebiet der aktiven Leistungshalbleiterbauelemente sowie der intelligenten Bauelemente für die integrierte Fehlervorhersage und der neuromorphen Elektronik. Wir erforschen Bauelemente und Technologien auf der Basis von Galliumnitrid, Siliziumkarbid, Aluminium-Scandium-Nitrid und Silizium für Anwendungen in der Elektromobilität, erneuerbaren Energien und autonomen industriellen Umgebungen.
Wir haben drei Hauptforschungsbereiche:
Zukünftige Technologien und neue Bauelementkonzepte (Forschung an neuen Konzepten für die Entwicklung und Herstellung von Leistungshalbleiterbauelementen in GaN, SiC und Si, laterale und vertikale GaN-Bauelemente, neuartige Bauelementstrukturen unter Einbeziehung von Techniken des maschinellen Lernens (ML))
Stabilität, Zuverlässigkeit und Robustheit (neuartige Methoden und Modelle zur Untersuchung und Modellierung der Zuverlässigkeit von Leistungshalbleiterbauelementen in Si und mit breitem Bandabstand, verbesserte Degradationsmodelle, Wechselwirkung zwischen Bauelement und Gehäusetechnologie, Testverfahren zur Bewertung der Zuverlässigkeit unter extremen Temperaturen und hochdynamischen Bedingungen, integrierte Zuverlässigkeit)
Neue Materialien und Strukturen (neue Bauteilfunktionen, FeFETs auf der Basis von Aluminium-Scandium-Nitrid (AlScN), Integration von High-k-Materialien, neuromorphe Elektronik)
Das Institut für Bauelemente in der Leistungselektronik ist neu an der TU Hamburg gegründet und befindet sich im Aufbau. Wenn Sie an unserer Forschung interessiert sind, zögern Sie nicht, uns zu kontaktieren.
Kontaktieren Sie uns ebenfalls gern, wenn Sie sich für studentische Projekte interessieren.
